金融界 2024 年 12 月 7 日讯息，国度常识产权局音讯显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“抬高 12 寸轻掺单晶安祥性的手段”的专利，公然号 CN 119082849 A，申请日期为 2024 年 8 月。　　专利摘要显示，本发觉供给抬高 12 寸轻掺单晶安祥性的手段，涉及轻掺单晶拉晶手段本领规模，正在预订散热热场下，举办轻掺单晶拉造正在等径经过中正在预订拉速界限及预订温度界限内举办晶棒拉造，使得高氧状况下，拉速增大，轴向温度梯度减幼，空隙增加，正在晶棒稳固形的条件下，进而天生 OISF 的区域越贴近晶棒周围，直至消灭，使得下降 OISF 缺陷取得改良，硅片不易断裂，进而造得的表延片的安祥性抬高。